array(61) {
["id"]=>
string(2) "40"
["pdf_add"]=>
string(43) "http://aosmd.com/res/data_sheets/AO4629.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(63) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/8-SOIC.jpg"
["images"]=>
string(79) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/8-SO-4.85-3.9-1.27.webp"
["ljbh"]=>
string(13) "785-1555-2-ND"
["zzsbh"]=>
string(6) "AO4629"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(5) "33000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1706345790"
["ms"]=>
string(31) "MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "Alpha Omega Semi"
["fetlx"]=>
string(23) "N 和 P 沟道，共漏"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "30V"
["dl_lxlj"]=>
string(9) "6A，5.5A"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(20) "30 毫欧 @ 6A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(13) "2.4V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(11) "6.3nC @ 10V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(11) "310pF @ 15V"
["gn_zdz"]=>
string(2) "2W"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(32) "8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）"
["gysqjfz"]=>
string(6) "8-SOIC"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "8"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(4) "4629"
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "769"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： AO4629复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4629' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4629' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道，共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:6A，5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：N 和 P 沟道，共漏
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：6A，5.5A
功率 - 最大值：2W
|
外壳：
封装：8-SOIC
料号：JTG10-40
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4629' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
咨询客服
|
|
array(61) {
["id"]=>
string(2) "52"
["pdf_add"]=>
string(43) "http://aosmd.com/res/data_sheets/AO6602.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(91) "//media.digikey.com/Renders/Alpha%20&%20Omega%20Semiconductor%20Renders/785;PO-00002;;6.jpg"
["images"]=>
string(105) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/Alpha_&_Omega_Semiconductor_Renders/785;PO-00002;;6.jpg"
["ljbh"]=>
string(13) "785-1077-2-ND"
["zzsbh"]=>
string(7) "AO6602L"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(5) "48000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1706345825"
["ms"]=>
string(24) "MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "Alpha Omega Semi"
["fetlx"]=>
string(23) "N 和 P 沟道互补型"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "30V"
["dl_lxlj"]=>
string(1) "-"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(22) "75 毫欧 @ 3.1A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(11) "3V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(11) "8.5nC @ 10V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(11) "240pF @ 15V"
["gn_zdz"]=>
string(5) "1.15W"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(15) "SC-74，SOT-457"
["gysqjfz"]=>
string(6) "6-TSOP"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(4) "3000"
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "6"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(4) "F2**"
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "1"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： AO6602L复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO6602L' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO6602L' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道，共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:6A，5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:240pF @ 15V *功率 - 最大值:1.15W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：N 和 P 沟道互补型
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：-
功率 - 最大值：1.15W
|
外壳：
封装：6-TSOP
料号：JTG10-52
包装：
3000个/
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO6602L' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
咨询客服
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|
array(61) {
["id"]=>
string(2) "54"
["pdf_add"]=>
string(43) "http://aosmd.com/res/data_sheets/AO6604.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(91) "//media.digikey.com/Renders/Alpha%20&%20Omega%20Semiconductor%20Renders/785;PO-00002;;6.jpg"
["images"]=>
string(105) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/Alpha_&_Omega_Semiconductor_Renders/785;PO-00002;;6.jpg"
["ljbh"]=>
string(13) "785-1078-2-ND"
["zzsbh"]=>
string(6) "AO6604"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(6) "120000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1706345825"
["ms"]=>
string(24) "MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "Alpha Omega Semi"
["fetlx"]=>
string(23) "N 和 P 沟道互补型"
["fetgn"]=>
string(32) "逻辑电平栅极，4.5V 驱动"
["ldjdy"]=>
string(3) "20V"
["dl_lxlj"]=>
string(11) "3.4A，2.5A"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(23) "65 毫欧 @ 3.4A，4.5V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(11) "1V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(12) "3.8nC @ 4.5V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(11) "320pF @ 10V"
["gn_zdz"]=>
string(4) "1.1W"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(15) "SC-74，SOT-457"
["gysqjfz"]=>
string(6) "6-TSOP"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "6"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(4) "F4**"
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "1"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： AO6604复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO6604' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO6604' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道，共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:6A，5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:240pF @ 15V *功率 - 最大值:1.15W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:3.4A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:320pF @ 10V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：N 和 P 沟道互补型
fet 功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：3.4A，2.5A
功率 - 最大值：1.1W
|
外壳：
封装：6-TSOP
料号：JTG10-54
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO6604' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
咨询客服
|
|
array(61) {
["id"]=>
string(4) "3656"
["pdf_add"]=>
string(50) "http://www.aosmd.com/res/data_sheets/AONX38168.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
NULL
["images"]=>
string(94) "//media.digikey.com/Renders/Alpha%20&%20Omega%20Semiconductor%20Renders/785;-PO-00224;-;-8.jpg"
["ljbh"]=>
string(0) ""
["zzsbh"]=>
string(9) "AONX38168"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(1) "1"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1706345903"
["ms"]=>
string(32) "25V DUAL ASYMMETRIC N-CHANNEL XS"
["xl"]=>
string(12) "XSPairFET™"
["zzs"]=>
string(16) "Alpha Omega Semi"
["fetlx"]=>
string(31) "2 N 沟道（双）非对称型"
["fetgn"]=>
string(6) "标准"
["ldjdy"]=>
string(3) "25V"
["dl_lxlj"]=>
string(41) "25A (Ta)，62A (Tc)，50A (Ta)，85A (Tc)"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(47) "3.3 毫欧 @ 20A，10V，0.8 毫欧 @ 20A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(29) "1.9V @ 250µA，1.8V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(17) "24nC，85nC @ 10V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(23) "1.15nF，4.52nF @ 12.5V"
["gn_zdz"]=>
string(43) "3.1W (Ta)，20W (Tc)，3.2W (Ta)，69W (Tc)"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(11) "8-PowerVDFN"
["gysqjfz"]=>
string(14) "8-DFN（5x6）"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
NULL
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "8"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(1) " "
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
NULL
["gl_gnd"]=>
NULL
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
NULL
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(10) "1597906168"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： AONX38168复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AONX38168' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AONX38168' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
25V DUAL ASYMMETRIC N-CHANNEL XS
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道，共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:6A，5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:240pF @ 15V *功率 - 最大值:1.15W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:3.4A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:320pF @ 10V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:25A (Ta)，62A (Tc)，50A (Ta)，85A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，0.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.15nF，4.52nF @ 12.5V *功率 - 最大值:3.1W (Ta)，20W (Tc)，3.2W (Ta)，69W (Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
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fet 类型：2 N 沟道（双）非对称型
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：25V
电流 - 连续漏极（id）：25A (Ta)，62A (Tc)，50A (Ta)，85A (Tc)
功率 - 最大值：3.1W (Ta)，20W (Tc)，3.2W (Ta)，69W (Tc)
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丝印：
外壳：
封装：8-DFN（5x6）
料号：JTG10-3656
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AONX38168' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
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|
array(61) {
["id"]=>
string(2) "83"
["pdf_add"]=>
string(43) "http://aosmd.com/res/data_sheets/AO4840.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(63) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/8-SOIC.jpg"
["images"]=>
string(79) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/8-SO-4.85-3.9-1.27.webp"
["ljbh"]=>
string(13) "785-1063-2-ND"
["zzsbh"]=>
string(6) "AO4840"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(5) "33000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1706345810"
["ms"]=>
string(26) "MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "Alpha Omega Semi"
["fetlx"]=>
string(19) "2 N-通道（双）"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "40V"
["dl_lxlj"]=>
string(2) "6A"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(20) "30 毫欧 @ 6A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(11) "3V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(12) "10.8nC @ 10V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(11) "650pF @ 20V"
["gn_zdz"]=>
string(2) "2W"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(32) "8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）"
["gysqjfz"]=>
string(6) "8-SOIC"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "8"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(4) "4840"
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "769"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： AO4840复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4840' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4840' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道，共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:6A，5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:240pF @ 15V *功率 - 最大值:1.15W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:3.4A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:320pF @ 10V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:25A (Ta)，62A (Tc)，50A (Ta)，85A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，0.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.15nF，4.52nF @ 12.5V *功率 - 最大值:3.1W (Ta)，20W (Tc)，3.2W (Ta)，69W (Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
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fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：40V
电流 - 连续漏极（id）：6A
功率 - 最大值：2W
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外壳：
封装：8-SOIC
料号：JTG10-83
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4840' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
咨询客服
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array(61) {
["id"]=>
string(2) "93"
["pdf_add"]=>
string(43) "http://aosmd.com/res/data_sheets/AO4882.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(63) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/8-SOIC.jpg"
["images"]=>
string(79) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/8-SO-4.85-3.9-1.27.webp"
["ljbh"]=>
string(13) "785-1317-2-ND"
["zzsbh"]=>
string(6) "AO4882"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(4) "9000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1706345810"
["ms"]=>
string(25) "MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "Alpha Omega Semi"
["fetlx"]=>
string(19) "2 N-通道（双）"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "40V"
["dl_lxlj"]=>
string(2) "8A"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(20) "19 毫欧 @ 8A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(13) "2.4V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(10) "12nC @ 10V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(11) "415pF @ 20V"
["gn_zdz"]=>
string(2) "2W"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(32) "8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）"
["gysqjfz"]=>
string(6) "8-SOIC"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "8"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(4) "4882"
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "769"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： AO4882复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4882' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4882' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道，共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:6A，5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:240pF @ 15V *功率 - 最大值:1.15W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:3.4A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:320pF @ 10V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:25A (Ta)，62A (Tc)，50A (Ta)，85A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，0.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.15nF，4.52nF @ 12.5V *功率 - 最大值:3.1W (Ta)，20W (Tc)，3.2W (Ta)，69W (Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:415pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：40V
电流 - 连续漏极（id）：8A
功率 - 最大值：2W
|
外壳：
封装：8-SOIC
料号：JTG10-93
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4882' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
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|
|
array(61) {
["id"]=>
string(2) "97"
["pdf_add"]=>
string(43) "http://aosmd.com/res/data_sheets/AO4612.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(63) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/8-SOIC.jpg"
["images"]=>
string(79) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/8-SO-4.85-3.9-1.27.webp"
["ljbh"]=>
string(13) "785-1041-2-ND"
["zzsbh"]=>
string(6) "AO4612"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(4) "3000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1706345790"
["ms"]=>
string(24) "MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "Alpha Omega Semi"
["fetlx"]=>
string(14) "N 和 P 沟道"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "60V"
["dl_lxlj"]=>
string(11) "4.5A，3.2A"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(22) "56 毫欧 @ 4.5A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(11) "3V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(12) "10.5nC @ 10V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(11) "540pF @ 30V"
["gn_zdz"]=>
string(2) "2W"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(32) "8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）"
["gysqjfz"]=>
string(6) "8-SOIC"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "8"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(4) "4612"
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "769"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： AO4612复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4612' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4612' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道，共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:6A，5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:240pF @ 15V *功率 - 最大值:1.15W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:3.4A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:320pF @ 10V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:25A (Ta)，62A (Tc)，50A (Ta)，85A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，0.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.15nF，4.52nF @ 12.5V *功率 - 最大值:3.1W (Ta)，20W (Tc)，3.2W (Ta)，69W (Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:415pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
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fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：4.5A，3.2A
功率 - 最大值：2W
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外壳：
封装：8-SOIC
料号：JTG10-97
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4612' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
咨询客服
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|
array(61) {
["id"]=>
string(3) "102"
["pdf_add"]=>
string(43) "http://aosmd.com/res/data_sheets/AO4805.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(63) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/8-SOIC.jpg"
["images"]=>
string(79) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/8-SO-4.85-3.9-1.27.webp"
["ljbh"]=>
string(13) "785-1055-2-ND"
["zzsbh"]=>
string(6) "AO4805"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(5) "21000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1706345790"
["ms"]=>
string(26) "MOSFET 2P-CH 30V 9A 8-SOIC"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "Alpha Omega Semi"
["fetlx"]=>
string(23) "2 个 P 沟道（双）"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "30V"
["dl_lxlj"]=>
string(2) "9A"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(20) "19 毫欧 @ 8A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(13) "2.8V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(10) "39nC @ 10V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(12) "2600pF @ 15V"
["gn_zdz"]=>
string(2) "2W"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(32) "8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）"
["gysqjfz"]=>
string(6) "8-SOIC"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "8"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(4) "4805"
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "769"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： AO4805复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4805' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4805' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2P-CH 30V 9A 8-SOIC
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道，共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:6A，5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:240pF @ 15V *功率 - 最大值:1.15W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:3.4A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:320pF @ 10V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:25A (Ta)，62A (Tc)，50A (Ta)，85A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，0.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.15nF，4.52nF @ 12.5V *功率 - 最大值:3.1W (Ta)，20W (Tc)，3.2W (Ta)，69W (Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:415pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：2 个 P 沟道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：9A
功率 - 最大值：2W
|
外壳：
封装：8-SOIC
料号：JTG10-102
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4805' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
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|
|
array(61) {
["id"]=>
string(4) "3774"
["pdf_add"]=>
string(1) "-"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
NULL
["images"]=>
string(33) "/wcsstore/CN/images/pna-zh-cn.jpg"
["ljbh"]=>
string(0) ""
["zzsbh"]=>
string(9) "AONP36336"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(1) "1"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1706345903"
["ms"]=>
string(32) "30V DUAL ASYMMETRIC N-CHANNEL MO"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "Alpha Omega Semi"
["fetlx"]=>
string(31) "2 N 沟道（双）非对称型"
["fetgn"]=>
string(6) "标准"
["ldjdy"]=>
string(3) "30V"
["dl_lxlj"]=>
string(11) "50A（Tc）"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(22) "4.7 毫欧 @ 20A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(13) "1.9V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(10) "29nC @ 10V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(12) "1330pF @ 15V"
["gn_zdz"]=>
string(55) "3.4W（Ta），33W（Tc），3.1W（Ta），30W（Tc）"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(11) "8-PowerVDFN"
["gysqjfz"]=>
string(17) "8-DFN-EP（5x6）"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
NULL
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "8"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(1) " "
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
NULL
["gl_gnd"]=>
NULL
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
NULL
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(10) "1597906624"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： AONP36336复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AONP36336' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AONP36336' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
30V DUAL ASYMMETRIC N-CHANNEL MO
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道，共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:6A，5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:240pF @ 15V *功率 - 最大值:1.15W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:3.4A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:320pF @ 10V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:25A (Ta)，62A (Tc)，50A (Ta)，85A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，0.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.15nF，4.52nF @ 12.5V *功率 - 最大值:3.1W (Ta)，20W (Tc)，3.2W (Ta)，69W (Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:415pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:50A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1330pF @ 15V *功率 - 最大值:3.4W（Ta），33W（Tc），3.1W（Ta），30W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：2 N 沟道（双）非对称型
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：50A（Tc）
功率 - 最大值：3.4W（Ta），33W（Tc），3.1W（Ta），30W（Tc）
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丝印：
外壳：
封装：8-DFN-EP（5x6）
料号：JTG10-3774
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AONP36336' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
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|
array(61) {
["id"]=>
string(3) "227"
["pdf_add"]=>
string(43) "http://aosmd.com/res/data_sheets/AO7801.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(100) "//media.digikey.com/Renders/Alpha%20&%20Omega%20Semiconductor%20Renders/785;%20PO-00011;%20;%206.jpg"
["images"]=>
string(76) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/6-SO-2-1.25-0.65.jpg"
["ljbh"]=>
string(13) "785-1208-2-ND"
["zzsbh"]=>
string(6) "AO7801"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(5) "15000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1706345825"
["ms"]=>
string(23) "MOSFET 2P-CH 20V SC70-6"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "Alpha Omega Semi"
["fetlx"]=>
string(23) "2 个 P 沟道（双）"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "20V"
["dl_lxlj"]=>
string(1) "-"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(25) "520 毫欧 @ 600mA，4.5V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(14) "900mV @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(12) "1.8nC @ 4.5V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(11) "140pF @ 10V"
["gn_zdz"]=>
string(5) "300mW"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(25) "6-TSSOP，SC-88，SOT-363"
["gysqjfz"]=>
string(7) "SC-70-6"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "0"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "6"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(3) "1**"
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "1"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "816"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： AO7801复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO7801' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO7801' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2P-CH 20V SC70-6
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道，共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:6A，5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:240pF @ 15V *功率 - 最大值:1.15W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:3.4A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:320pF @ 10V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:25A (Ta)，62A (Tc)，50A (Ta)，85A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，0.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.15nF，4.52nF @ 12.5V *功率 - 最大值:3.1W (Ta)，20W (Tc)，3.2W (Ta)，69W (Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:415pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:50A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1330pF @ 15V *功率 - 最大值:3.4W（Ta），33W（Tc），3.1W（Ta），30W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:520 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：2 个 P 沟道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：-
功率 - 最大值：300mW
|
外壳：
封装：SC-70-6
料号：JTG10-227
包装：
|
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO7801' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
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|
array(61) {
["id"]=>
string(3) "251"
["pdf_add"]=>
string(44) "http://aosmd.com/res/data_sheets/AO6801E.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(91) "//media.digikey.com/Renders/Alpha%20&%20Omega%20Semiconductor%20Renders/785;PO-00002;;6.jpg"
["images"]=>
string(105) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/Alpha_&_Omega_Semiconductor_Renders/785;PO-00002;;6.jpg"
["ljbh"]=>
string(13) "785-1466-2-ND"
["zzsbh"]=>
string(7) "AO6801E"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(4) "3000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1706345825"
["ms"]=>
string(25) "MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "Alpha Omega Semi"
["fetlx"]=>
string(23) "2 个 P 沟道（双）"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "30V"
["dl_lxlj"]=>
string(2) "2A"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(21) "110 毫欧 @ 2A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(13) "1.5V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(10) "12nC @ 10V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(11) "305pF @ 15V"
["gn_zdz"]=>
string(5) "700mW"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(15) "SC-74，SOT-457"
["gysqjfz"]=>
string(6) "6-TSOP"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "0"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "6"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(5) "6801E"
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "1"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： AO6801E复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO6801E' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO6801E' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道，共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:6A，5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:240pF @ 15V *功率 - 最大值:1.15W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:3.4A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:320pF @ 10V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:25A (Ta)，62A (Tc)，50A (Ta)，85A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，0.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.15nF，4.52nF @ 12.5V *功率 - 最大值:3.1W (Ta)，20W (Tc)，3.2W (Ta)，69W (Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:415pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:50A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1330pF @ 15V *功率 - 最大值:3.4W（Ta），33W（Tc），3.1W（Ta），30W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:520 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:305pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：2 个 P 沟道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：2A
功率 - 最大值：700mW
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外壳：
封装：6-TSOP
料号：JTG10-251
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO6801E' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
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|
array(61) {
["id"]=>
string(3) "259"
["pdf_add"]=>
string(43) "http://aosmd.com/res/data_sheets/AO7600.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(100) "//media.digikey.com/Renders/Alpha%20&%20Omega%20Semiconductor%20Renders/785;%20PO-00011;%20;%206.jpg"
["images"]=>
string(76) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/6-SO-2-1.25-0.65.jpg"
["ljbh"]=>
string(13) "785-1093-2-ND"
["zzsbh"]=>
string(6) "AO7600"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(4) "3000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1706345825"
["ms"]=>
string(24) "MOSFET N/P-CH 20V SC70-6"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "Alpha Omega Semi"
["fetlx"]=>
string(14) "N 和 P 沟道"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "20V"
["dl_lxlj"]=>
string(13) "900mA，600mA"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(25) "300 毫欧 @ 900mA，4.5V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(14) "900mV @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(12) "1.9nC @ 4.5V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(11) "120pF @ 10V"
["gn_zdz"]=>
string(5) "300mW"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(25) "6-TSSOP，SC-88，SOT-363"
["gysqjfz"]=>
string(7) "SC-70-6"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "0"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "6"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(4) "7600"
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "816"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： AO7600复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO7600' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO7600' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道，共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:6A，5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:240pF @ 15V *功率 - 最大值:1.15W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:3.4A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:320pF @ 10V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:25A (Ta)，62A (Tc)，50A (Ta)，85A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，0.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.15nF，4.52nF @ 12.5V *功率 - 最大值:3.1W (Ta)，20W (Tc)，3.2W (Ta)，69W (Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:415pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:50A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1330pF @ 15V *功率 - 最大值:3.4W（Ta），33W（Tc），3.1W（Ta），30W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:520 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:305pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:900mA，600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 900mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:120pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：900mA，600mA
功率 - 最大值：300mW
|
外壳：
封装：SC-70-6
料号：JTG10-259
包装：
|
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO7600' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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|
array(61) {
["id"]=>
string(3) "272"
["pdf_add"]=>
string(44) "http://aosmd.com/res/data_sheets/AON3611.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(91) "//media.digikey.com/Renders/Alpha%20&%20Omega%20Semiconductor%20Renders/785;PO-00034;;8.jpg"
["images"]=>
string(105) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/Alpha_&_Omega_Semiconductor_Renders/785;PO-00034;;8.jpg"
["ljbh"]=>
string(13) "785-1570-2-ND"
["zzsbh"]=>
string(7) "AON3611"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(4) "9000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1706345863"
["ms"]=>
string(28) "MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "Alpha Omega Semi"
["fetlx"]=>
string(23) "N 和 P 沟道，共漏"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "30V"
["dl_lxlj"]=>
string(7) "5A，6A"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(20) "50 毫欧 @ 5A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(13) "2.5V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(10) "10nC @ 10V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(11) "170pF @ 15V"
["gn_zdz"]=>
string(11) "2.1W，2.5W"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(20) "8-SMD，扁平引线"
["gysqjfz"]=>
string(18) "8-DFN（2.9X2.3）"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "8"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(4) "3611"
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： AON3611复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AON3611' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AON3611' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道，共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:6A，5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:240pF @ 15V *功率 - 最大值:1.15W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:3.4A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:320pF @ 10V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:25A (Ta)，62A (Tc)，50A (Ta)，85A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，0.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.15nF，4.52nF @ 12.5V *功率 - 最大值:3.1W (Ta)，20W (Tc)，3.2W (Ta)，69W (Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:415pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:50A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1330pF @ 15V *功率 - 最大值:3.4W（Ta），33W（Tc），3.1W（Ta），30W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:520 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:305pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:900mA，600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 900mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:120pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道，共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:5A，6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:170pF @ 15V *功率 - 最大值:2.1W，2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：N 和 P 沟道，共漏
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：5A，6A
功率 - 最大值：2.1W，2.5W
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外壳：
封装：8-DFN（2.9X2.3）
料号：JTG10-272
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON3611' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
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|
array(61) {
["id"]=>
string(3) "287"
["pdf_add"]=>
string(43) "http://aosmd.com/res/data_sheets/AO4842.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(63) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/8-SOIC.jpg"
["images"]=>
string(79) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/8-SO-4.85-3.9-1.27.webp"
["ljbh"]=>
string(13) "785-1064-2-ND"
["zzsbh"]=>
string(6) "AO4842"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(4) "6000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1706345810"
["ms"]=>
string(28) "MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 8-SOIC"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "Alpha Omega Semi"
["fetlx"]=>
string(19) "2 N-通道（双）"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "30V"
["dl_lxlj"]=>
string(1) "-"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(22) "22 毫欧 @ 7.5A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(13) "2.6V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(10) "11nC @ 10V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(11) "448pF @ 15V"
["gn_zdz"]=>
string(2) "2W"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(32) "8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）"
["gysqjfz"]=>
string(6) "8-SOIC"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "8"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(4) "4842"
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "769"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： AO4842复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4842' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4842' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 8-SOIC
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道，共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:6A，5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:240pF @ 15V *功率 - 最大值:1.15W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:3.4A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:320pF @ 10V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:25A (Ta)，62A (Tc)，50A (Ta)，85A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，0.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.15nF，4.52nF @ 12.5V *功率 - 最大值:3.1W (Ta)，20W (Tc)，3.2W (Ta)，69W (Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:415pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:50A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1330pF @ 15V *功率 - 最大值:3.4W（Ta），33W（Tc），3.1W（Ta），30W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:520 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:305pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:900mA，600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 900mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:120pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道，共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:5A，6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:170pF @ 15V *功率 - 最大值:2.1W，2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:448pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：-
功率 - 最大值：2W
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外壳：
封装：8-SOIC
料号：JTG10-287
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4842' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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array(61) {
["id"]=>
string(3) "291"
["pdf_add"]=>
string(43) "http://aosmd.com/res/data_sheets/AO4852.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(63) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/8-SOIC.jpg"
["images"]=>
string(79) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/8-SO-4.85-3.9-1.27.webp"
["ljbh"]=>
string(13) "785-1204-2-ND"
["zzsbh"]=>
string(6) "AO4852"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(4) "3000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1706345810"
["ms"]=>
string(26) "MOSFET 2N-CH 60V 3A 8-SOIC"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "Alpha Omega Semi"
["fetlx"]=>
string(19) "2 N-通道（双）"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "60V"
["dl_lxlj"]=>
string(2) "3A"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(20) "90 毫欧 @ 3A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(13) "2.6V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(11) "9.2nC @ 10V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(11) "450pF @ 30V"
["gn_zdz"]=>
string(4) "1.4W"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(32) "8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）"
["gysqjfz"]=>
string(6) "8-SOIC"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "0"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "8"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(4) "4852"
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "769"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： AO4852复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4852' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4852' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2N-CH 60V 3A 8-SOIC
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道，共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:6A，5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:240pF @ 15V *功率 - 最大值:1.15W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:3.4A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:320pF @ 10V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:25A (Ta)，62A (Tc)，50A (Ta)，85A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，0.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.15nF，4.52nF @ 12.5V *功率 - 最大值:3.1W (Ta)，20W (Tc)，3.2W (Ta)，69W (Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:415pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:50A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1330pF @ 15V *功率 - 最大值:3.4W（Ta），33W（Tc），3.1W（Ta），30W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:520 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:305pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:900mA，600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 900mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:120pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道，共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:5A，6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:170pF @ 15V *功率 - 最大值:2.1W，2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:448pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:450pF @ 30V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：3A
功率 - 最大值：1.4W
|
外壳：
封装：8-SOIC
料号：JTG10-291
包装：
|
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4852' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
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|
array(61) {
["id"]=>
string(3) "306"
["pdf_add"]=>
string(43) "http://aosmd.com/res/data_sheets/AO4622.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(63) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/8-SOIC.jpg"
["images"]=>
string(79) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/8-SO-4.85-3.9-1.27.webp"
["ljbh"]=>
string(13) "785-1046-2-ND"
["zzsbh"]=>
string(6) "AO4622"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(5) "24000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1706345790"
["ms"]=>
string(32) "MOSFET N/P-CH 20V 7.3A/5A 8-SOIC"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "Alpha Omega Semi"
["fetlx"]=>
string(14) "N 和 P 沟道"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "20V"
["dl_lxlj"]=>
string(1) "-"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(22) "23 毫欧 @ 7.3A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(11) "2V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(10) "18nC @ 10V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(12) "1100pF @ 10V"
["gn_zdz"]=>
string(2) "2W"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(32) "8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）"
["gysqjfz"]=>
string(6) "8-SOIC"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "0"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "8"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(4) "4622"
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "769"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： AO4622复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4622' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4622' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET N/P-CH 20V 7.3A/5A 8-SOIC
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道，共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:6A，5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:240pF @ 15V *功率 - 最大值:1.15W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:3.4A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:320pF @ 10V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:25A (Ta)，62A (Tc)，50A (Ta)，85A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，0.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.15nF，4.52nF @ 12.5V *功率 - 最大值:3.1W (Ta)，20W (Tc)，3.2W (Ta)，69W (Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:415pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:50A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1330pF @ 15V *功率 - 最大值:3.4W（Ta），33W（Tc），3.1W（Ta），30W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:520 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:305pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:900mA，600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 900mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:120pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道，共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:5A，6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:170pF @ 15V *功率 - 最大值:2.1W，2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:448pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:450pF @ 30V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 10V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：-
功率 - 最大值：2W
|
外壳：
封装：8-SOIC
料号：JTG10-306
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4622' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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array(61) {
["id"]=>
string(3) "309"
["pdf_add"]=>
string(48) "http://www.aosmd.com/res/data_sheets/AO4803A.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(63) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/8-SOIC.jpg"
["images"]=>
string(79) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/8-SO-4.85-3.9-1.27.webp"
["ljbh"]=>
string(13) "785-1054-2-ND"
["zzsbh"]=>
string(7) "AO4803A"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(4) "3000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1706345790"
["ms"]=>
string(26) "MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC"
["xl"]=>
string(1) "*"
["zzs"]=>
string(16) "Alpha Omega Semi"
["fetlx"]=>
string(23) "2 个 P 沟道（双）"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "30V"
["dl_lxlj"]=>
string(2) "5A"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(20) "46 毫欧 @ 5A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(13) "2.5V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(10) "11nC @ 10V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(11) "520pF @ 15V"
["gn_zdz"]=>
string(2) "2W"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(32) "8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）"
["gysqjfz"]=>
string(6) "8-SOIC"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "8"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(5) "4803A"
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "769"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： AO4803A复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4803A' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4803A' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道，共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:6A，5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:240pF @ 15V *功率 - 最大值:1.15W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:3.4A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:320pF @ 10V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:25A (Ta)，62A (Tc)，50A (Ta)，85A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，0.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.15nF，4.52nF @ 12.5V *功率 - 最大值:3.1W (Ta)，20W (Tc)，3.2W (Ta)，69W (Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:415pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:50A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1330pF @ 15V *功率 - 最大值:3.4W（Ta），33W（Tc），3.1W（Ta），30W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:520 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:305pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:900mA，600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 900mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:120pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道，共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:5A，6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:170pF @ 15V *功率 - 最大值:2.1W，2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:448pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:450pF @ 30V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 10V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
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fet 类型：2 个 P 沟道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：5A
功率 - 最大值：2W
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外壳：
封装：8-SOIC
料号：JTG10-309
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4803A' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
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array(61) {
["id"]=>
string(3) "314"
["pdf_add"]=>
string(44) "http://aosmd.com/res/data_sheets/AO4818B.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(63) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/8-SOIC.jpg"
["images"]=>
string(79) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/8-SO-4.85-3.9-1.27.webp"
["ljbh"]=>
string(13) "785-1059-2-ND"
["zzsbh"]=>
string(7) "AO4818B"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(5) "15000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1706345810"
["ms"]=>
string(26) "MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "Alpha Omega Semi"
["fetlx"]=>
string(19) "2 N-通道（双）"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "30V"
["dl_lxlj"]=>
string(2) "8A"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(20) "19 毫欧 @ 8A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(13) "2.4V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(10) "18nC @ 10V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(11) "888pF @ 15V"
["gn_zdz"]=>
string(2) "2W"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(32) "8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）"
["gysqjfz"]=>
string(6) "8-SOIC"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "8"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(5) "4818B"
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "769"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： AO4818B复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4818B' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4818B' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道，共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:6A，5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:240pF @ 15V *功率 - 最大值:1.15W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:3.4A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:320pF @ 10V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:25A (Ta)，62A (Tc)，50A (Ta)，85A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，0.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.15nF，4.52nF @ 12.5V *功率 - 最大值:3.1W (Ta)，20W (Tc)，3.2W (Ta)，69W (Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:415pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:50A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1330pF @ 15V *功率 - 最大值:3.4W（Ta），33W（Tc），3.1W（Ta），30W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:520 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:305pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:900mA，600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 900mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:120pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道，共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:5A，6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:170pF @ 15V *功率 - 最大值:2.1W，2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:448pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:450pF @ 30V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 10V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：8A
功率 - 最大值：2W
|
外壳：
封装：8-SOIC
料号：JTG10-314
包装：
|
|
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4818B' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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|
array(61) {
["id"]=>
string(4) "3773"
["pdf_add"]=>
string(49) "http://www.aosmd.com/res/data_sheets/AOC3860A.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
NULL
["images"]=>
string(33) "/wcsstore/CN/images/pna-zh-cn.jpg"
["ljbh"]=>
string(0) ""
["zzsbh"]=>
string(8) "AOC3860A"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(1) "1"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "2.540000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1706345846"
["ms"]=>
string(21) "MOSFET N-CHANNEL 6DFN"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "Alpha Omega Semi"
["fetlx"]=>
string(25) "2 N 沟道（双）共漏"
["fetgn"]=>
string(6) "标准"
["ldjdy"]=>
string(3) "12V"
["dl_lxlj"]=>
string(11) "25A（Ta）"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(22) "3.5 毫欧 @ 5A，4.5V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(11) "1V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(11) "44nC @ 4.5V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(1) "-"
["gn_zdz"]=>
string(12) "2.5W（Ta）"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(17) "6-SMD，无引线"
["gysqjfz"]=>
string(25) "6-AlphaDFN（3.05x1.77）"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
NULL
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "6"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(5) "3860A"
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
NULL
["gl_gnd"]=>
NULL
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
NULL
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(10) "1597906617"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： AOC3860A复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AOC3860A' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AOC3860A' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET N-CHANNEL 6DFN
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道，共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:6A，5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:240pF @ 15V *功率 - 最大值:1.15W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:3.4A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:320pF @ 10V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:25A (Ta)，62A (Tc)，50A (Ta)，85A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，0.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.15nF，4.52nF @ 12.5V *功率 - 最大值:3.1W (Ta)，20W (Tc)，3.2W (Ta)，69W (Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:415pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:50A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1330pF @ 15V *功率 - 最大值:3.4W（Ta），33W（Tc），3.1W（Ta），30W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:520 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:305pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:900mA，600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 900mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:120pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道，共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:5A，6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:170pF @ 15V *功率 - 最大值:2.1W，2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:448pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:450pF @ 30V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 10V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）共漏 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:25A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:44nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：2 N 沟道（双）共漏
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：12V
电流 - 连续漏极（id）：25A（Ta）
功率 - 最大值：2.5W（Ta）
|
外壳：
封装：6-AlphaDFN（3.05x1.77）
料号：JTG10-3773
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AOC3860A' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额：
|
|
array(61) {
["id"]=>
string(3) "325"
["pdf_add"]=>
string(43) "http://aosmd.com/res/data_sheets/AO4807.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(63) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/8-SOIC.jpg"
["images"]=>
string(79) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/8-SO-4.85-3.9-1.27.webp"
["ljbh"]=>
string(13) "785-1057-2-ND"
["zzsbh"]=>
string(6) "AO4807"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(4) "3000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1706345790"
["ms"]=>
string(26) "MOSFET 2P-CH 30V 6A 8-SOIC"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "Alpha Omega Semi"
["fetlx"]=>
string(23) "2 个 P 沟道（双）"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "30V"
["dl_lxlj"]=>
string(2) "6A"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(20) "35 毫欧 @ 6A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(13) "2.4V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(10) "16nC @ 10V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(11) "760pF @ 15V"
["gn_zdz"]=>
string(2) "2W"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(32) "8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）"
["gysqjfz"]=>
string(4) "8-SO"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "8"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(4) "4807"
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "769"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： AO4807复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4807' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4807' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2P-CH 30V 6A 8-SOIC
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道，共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:6A，5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:240pF @ 15V *功率 - 最大值:1.15W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:3.4A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:320pF @ 10V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:25A (Ta)，62A (Tc)，50A (Ta)，85A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，0.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.15nF，4.52nF @ 12.5V *功率 - 最大值:3.1W (Ta)，20W (Tc)，3.2W (Ta)，69W (Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:415pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:50A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1330pF @ 15V *功率 - 最大值:3.4W（Ta），33W（Tc），3.1W（Ta），30W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:520 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:305pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:900mA，600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 900mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:120pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道，共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:5A，6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:170pF @ 15V *功率 - 最大值:2.1W，2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:448pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:450pF @ 30V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 10V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）共漏 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:25A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:44nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
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fet 类型：2 个 P 沟道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：6A
功率 - 最大值：2W
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外壳：
封装：8-SO
料号：JTG10-325
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4807' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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